| Автор |
Сообщение |
Romanukjr ®
Uploader 100+
Стаж: 15 лет 2 мес.
Сообщений: 1862
Ratio: 1821.488
Раздал: 429.2 TB
Поблагодарили: 16509
69.47%
Откуда: Москва
|
Компания Samsung провела церемонию, посвящённую началу поставок первой партии своих 3-нм чипов, выполненных с использованием транзисторов GAA. Мероприятие прошло на площадке, где размещается производственная линия V1 в кампусе Хвасон в Южной Корее.
Событие посетили порядка 100 человек, включая высших чинов Министерства торговли, промышленности и энергетики Южной Кореи и всех ключевых сотрудников Samsung, внёсших вклад в разработку и организацию массового производства чипов нового поколения. В ходе мероприятия Samsung огласила амбициозную цель «двигаться вперёд с помощью инновационных технологий, чтобы стать лучшей в мире».
По словам представителей Samsung Foundry, технологические препятствия при разработке 3-нм техпроцесса были устранены с помощью сотрудничества как с другими подразделениями Samsung, так и производственными и инфраструктурными партнёрами компании.
3-нм чипы Samsung используют технологию транзисторов GAA (Gate All Around), обеспечивающую более эффективное энергопотребление и повышенную производительность в сравнении с уже используемой FinFET. Новое решение будет применяться для выпуска процессоров, предназначенных для серверов, дата-центров, а также передовых чипсетов для смартфонов, планшетов, носимых устройств, ноутбуков, настольных компьютеров и другой электроники.
Компания начала разработку GAA в начале 2000-х годов и впервые успешно применила её при производстве 3-нм чипов в 2017 году. После нескольких лет исследований и тестов началось производство новых решений. В частности, 3-нм чипы будут поставляться китайской майнинговой компании.
Ожидается, что главный конкурент Samsung на рынке контрактного производства полупроводников — компания TSMC, начнёт выпускать 3-нм чипы приблизительно в 4 квартале 2022 года. Обе будут состязаться за право получить заказы от крупных вендоров вроде AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA и Qualcomm. Источник Источник(eng.) |
|
|
 |
pka1985
Стаж: 13 лет 1 мес.
Сообщений: 248
Ratio: 0.262
0.16%
|
Тим Кук выкупит снова всю линию и будут какие-нибудь М3 макс наращивать, а остальным - кукиш поквзывать. |
|
|
|
|
Galaxpro
Uploader 1000+
Стаж: 15 лет
Сообщений: 2284
Ratio: 1634.75
100%
|
кто бы что ни говорил, но Samsung первый перешёл на технологию нанослойных транзисторов - gaafet, а в TSMC пока ещё топчатся на трёхмерных finfet, хотя планируют ужать до 3-нм, а круговой - gaa затвор только в планах - к 2023 или 2024 г; так что, пока браво Samsung |
|
|
|
|
parviz_mod
Стаж: 3 года
Сообщений: 176
Ratio: 2.239
12.5%
|
igorofficial1 писал(а):  | молодцы , некоторые до сих пор на 45 нм топчутся |
насколько я помню РФ освоила 200 нм на текущий момент |
|
|
|
|
Elatus
Стаж: 14 лет 6 мес.
Сообщений: 69
Ratio: 0.836
6.4%
|
Перефразирую Джима Джеффриса (вроде его...): "Это ж каким огромным должен быть хер...", что глава SAMSUNG так компенсирует... Добавлено спустя 1 минуту 13 секунд: | parviz_mod писал(а): | | igorofficial1 писал(а): | молодцы , некоторые до сих пор на 45 нм топчутся |
насколько я помню РФ освоила 200 нм на текущий момент |
Да ладно??? Я новость пропустил...мы ушли от перфокарт?! Добавлено спустя 8 минут 4 секунды: | Galaxpro писал(а): | кто бы что ни говорил, но Samsung первый кто перешёл на технологию нанослойных транзисторов - gaafet, а TSMC пока ещё топчатся на трёхмерных finfet, хотя планируют ужать до 3-нм, а круговой - gaa затвор только в планах - к 2023 или 2024 г; так что, пока браво Samsung |
У меня тут 22 и 32, вот в планах 10ку заиметь...куда все бегут???? |
|
|
|
|
pajga
Только чтение
Стаж: 14 лет 10 мес.
Сообщений: 673
Ratio: 1.313
0.75%
|
igorofficial1 - ну поведайте о подобных успехах в этом деле в вашей стране?
или опять будете понтоватся чужими достижениями? |
|
|
|
|
pkurg
Стаж: 13 лет 1 мес.
Сообщений: 54
Ratio: 2.228
3.55%
|
| araick писал(а): | Что будет после 1ннм? -1, -3 ннм? )) |
пикометр |
|
|
|
|
svkdp7488
Стаж: 13 лет 9 мес.
Сообщений: 798
Ratio: 4.697
1.45%
Откуда: Одесса
|
| pka1985 писал(а): | Тим Кук выкупит снова всю линию и будут какие-нибудь М3 макс наращивать, а остальным - кукиш поквзывать. |
Говорите, как что-то плохое. Макбуки и на интолах были отличными девайсами, а сейчас - так вообще сказка. Я очень хочу увидеть что-то похожее от Винтел или просто мелкомягких, чтобы такое же качество исполнения, автономность и цена НЕ выше. |
|
|
|
|
MEXAH
Только чтение
Стаж: 9 лет 8 мес.
Сообщений: 1818
Ratio: 8.611
Поблагодарили: 40
99.37%
Откуда: Москва
|
| Nick 61 писал(а): | Что мешает сделать цап-царап данной продукции - предположение, не более того. |
Шта? |
|
|
|
|
Jakubin
Стаж: 14 лет 11 мес.
Сообщений: 93
Ratio: 35.558
100%
|
Пора уходить на кристаллы , эта уже тупик. |
|
|
|
|
VikusK
Стаж: 13 лет
Сообщений: 1339
Ratio: 2.94
83.47%
|
3 3 3 3 3
да нужно прости прочитать задом наперёд - GNUSMAS!!!
и всё встанет на свои места!
Дело не только в отводе тепла, чем меньше расстояния, тем больше электромагнитное влияние соседних проводников, а это можно ослабить только снижением тактовой частоты, но они её очевидно ещё и увеличивают ... конечно молодцы...
так было 940 контактов и отходили скажем от 5х5х2 мм, а теперь от 3х3х1...
если и будет переход на 2, то не раньше чем через 15...20 лет, а на 1...0,5 может через 40:
каждые 100 давались - 5...6 лет, каждые 10 уже по 10...15 лет, а вот каждый 1 будет ещё дольше...
а вообще ещё не вечер, а где собственно сравнительные тесты производительности в конкретных АПК?! |
|
|
|
|
syslog2
Стаж: 14 лет 6 мес.
Сообщений: 39
Ratio: 3.178
0.36%
|
На текущий момент есть ASML А все остальное просто фабрики где стоит их оборудования. И продает ASML только в ограниченный круг стран. Все остальное это не технологии производство а проектирования того или иного микро чипа. И в России конечно ни кто не проектирует 3 нм или сколько он там в реальности по причине что его ни кто не даст произвести на фабрике или не продадут оборудования ASML. |
|
|
|
|
Михаил
Стаж: 14 лет
Сообщений: 21356
Ratio: 22.972
100%
|
| Jakubin писал(а): | Пора уходить на кристаллы |
расскажите Ангсрёмы? ) Добавлено спустя 1 минуту 29 секунд: | pkurg писал(а): | пикометр |
А не лучше ли принципиально менять подвид компьютеров - на типа т.н. "квантовых" с записью на ДНК? )) А эти - Ноль/один - выбросить в помойку? )) или оставить для 3Д-тетрисов и емейлов? )) |
|
|
|
|
ollotiot
Стаж: 11 лет 3 мес.
Сообщений: 141
Ratio: 1.474
100%
|
| Nick 61 писал(а): | Что мешает сделать цап-царап |
Ну и чито ты поймёшь даже имея электронный микроскоп? |
|
|
|
|
nmonak
Стаж: 11 лет 7 мес.
Сообщений: 19
Ratio: 0.276
0%
|
И зачем всё это нужно, нокиа 3310 и больше не нужно. |
|
|
|
|
dmab
Стаж: 14 лет 11 мес.
Сообщений: 244
Ratio: 1.922
100%
|
| VikusK писал(а): | 3 3 3 3 3
да нужно прости прочитать задом наперёд - GNUSMAS!!!
и всё встанет на свои места!
Дело не только в отводе тепла, чем меньше расстояния, тем больше электромагнитное влияние соседних проводников, а это можно ослабить только снижением тактовой частоты, но они её очевидно ещё и увеличивают ... конечно молодцы...
так было 940 контактов и отходили скажем от 5х5х2 мм, а теперь от 3х3х1...
если и будет переход на 2, то не раньше чем через 15...20 лет, а на 1...0,5 может через 40:
каждые 100 давались - 5...6 лет, каждые 10 уже по 10...15 лет, а вот каждый 1 будет ещё дольше...
а вообще ещё не вечер, а где собственно сравнительные тесты производительности в конкретных АПК?! |
Не забывааем также, что "электромагнитное влияние соседних проводников" снижается со снижением силы тока и улучшением свойств "изоляторов". Переход на "2нм" (" 2GAP" в терминологии Samsung, или " 18A" в терминологии Intel, " N2" - TSMC) уже не за горами, запланирован на 24-26 год, а в 25-27 уже на полках должны быть продукты с такими чипами. https://3dnews.ru/1050768/samsung-nachnyot-vipuskat-chipi-po-2nm-tehprotsessu-s-novimi-tranzistorami-gaafet-v-2025-goduhttps://3dnews.ru/1060454/intel-podtverdila-namerenie-vernut-liderstvo-za-tri-goda-tehprotsess-intel-18a-budet-zapushchen-v-2024-goduhttps://www.hardwareluxx.ru/index.php/news/hardware/prozessoren/53261-2-nm-i-gaa-samsung-perekhodit-na-novyj-tekhprotsess-tsmc-otdelyaet-bpd-ot-tekhprotsessa-n2.htmlhttps://www.anandtech.com/show/17469/tsmc-first-n2-node-to-use-gaafets-skip-backside-powerДа ещё в прошлом году компания IBM сделала тестовый чип (не транзистор) по "2нм"! https://3dnews.ru/1039003/ibm-predstavila-perviy-mire-chip-vipolnenniy-po-2nm-tehprotsessuhttps://habr.com/ru/company/selectel/blog/555940/Тестов полно, но, скорее всего, они вам не будут понятны - это всё научная литература и статьи на специализированных сайтах. Для обыных людей производитель делает простую инфографику, которой тоже полно. Правда там или маркетинг, или что-то по середине - решает каждый сам. Это ещё не научная статья, а просто "спецновость": https://www.anandtech.com/show/17385/applied-materials-new-tools-needed-for-3-nm-and-gaa-transistorsНо главное тут не "3нм", а общий переход на новую архитектуру транзисторов под названием GAAFET. Потом уже каждая компания может доработать её и внести свои "секреты" и получить патенты, благодаря которым, можно использовать свои маркетинговые названия, как, например, Samsung MBCFET и Intel RibbonFET. Говорят, следующая эра - это переход на новые архитектуры транзисторов на основе карбоновых нанотрубок, графена, ну а потом, наверное, вобще наступит квантовая эра... |
|
|
|
|
|
|
